威尼斯人澳门官网 王海龙教授近日提出一种脉冲电压振荡筛选阴离子溶剂化鞘的新策略：在不改变电解液和材料合成策略的前提下，仅通过施加周期性电位扰动，诱导阴离子溶剂化鞘的振荡迁移，实现SEI形成的精确调控。在这一过程中，阴离子在电迁移与扩散的竞争作用下经历振荡筛选，优先到达硅表面并分解生成LiF，而溶剂分子被排斥至界面之外。所构建的SEI具备优异的机械稳定性和快速锂离子迁移动力学，使硅负极ICE从未处理的85.4%提升至90.8%。该方法摆脱了对化学添加剂和复杂制造工艺的依赖，只需对电池器件施加特定脉冲震荡电压即可实现，具有高效简便、适用范围广等突出优势，为科学设计并实现高性能硅基负极界面工程提供了新策略，该方法已经申请国家发明专利（申请号：202510906279.8）。

相关研究成果以“Electrochemical Oscillatory Screening Anion to Form LiF-Rich SEI for Enhanced Stability of Silicon Anode”为题发表在纳米材料高水平期刊Small上，并被选为封面论文（Front Cover）。宁夏大学博士研究生崔永建为本文第一作者。

本成果被学术公众号“能源学人”以《宁夏大学-贺兰山实验室王海龙教授Small封面：震荡电场筛选阴离子突破锂电池纯硅负极首效瓶颈》做详细介绍，链接如下：宁夏大学-贺兰山实验室王海龙教授Small封面：震荡电场筛选阴离子突破锂电池纯硅负极首效瓶颈